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APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology


High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V
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Technische Details APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology

Description: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 123 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 570 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V.

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APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JRDQ4 Hersteller : Microchip Technology APT100GT120JRDQ4_D-1592339.pdf IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
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APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JRDQ4 Hersteller : Microchip / Microsemi APT100GT120JRDQ4_D-1592339.pdf IGBT Modules FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227
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APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JRDQ4 Hersteller : Microchip Technology apt100gt120jrdq4_d.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube
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APT100GT120JRDQ4 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GT120JRDQ4 Hersteller : MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120
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APT100GT120JRDQ4 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
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