APT100M50J

APT100M50J Microchip Technology


apt100m50j_c.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 500V 103A 4-Pin SOT-227 Tube
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Technische Details APT100M50J Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24600 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APT100M50J Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 6581-apt100m50j-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 490A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100M50J Hersteller : MICROSEMI 6581-apt100m50j-datasheet SOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT100M50
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APT100M50J APT100M50J Hersteller : Microchip Technology 6581-apt100m50j-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24600 pF @ 25 V
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APT100M50J APT100M50J Hersteller : Microchip / Microsemi 6581-apt100m50j-datasheet Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
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APT100M50J APT100M50J Hersteller : Microchip Technology 6581-apt100m50j-datasheet Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
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APT100M50J Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 6581-apt100m50j-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 490A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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