
APT1201R2BFLLG Microchip Technology
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Technische Details APT1201R2BFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 12A, Case: TO247-3, On-state resistance: 1.25Ω, Pulsed drain current: 48A, Power dissipation: 403W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.1µC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT1201R2BFLLG nach Preis ab 33.79 EUR bis 41.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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APT1201R2BFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT1201R2BFLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT1201R2BFLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Case: TO247-3 On-state resistance: 1.25Ω Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 403W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 0.1µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1201R2BFLLG | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1201R2BFLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Case: TO247-3 On-state resistance: 1.25Ω Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 403W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 0.1µC |
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