APT1201R6SVFRG Microchip Technology
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Technische Details APT1201R6SVFRG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Case: D3PAK, On-state resistance: 1.6Ω, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 280W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 230nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT1201R6SVFRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| APT1201R6SVFRG | Hersteller : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, D3, TO-268, RoHS |
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APT1201R6SVFRG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: D3PAK On-state resistance: 1.6Ω Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT1201R6SVFRG | Hersteller : MICROSEMI |
D3PAK/POWER FREDFET - MOS5 APT1201R6 Anzahl je Verpackung: 31 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1201R6SVFRG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: D3PAK On-state resistance: 1.6Ω Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC |
Produkt ist nicht verfügbar |