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APT13GP120BDQ1G Microchip Technology


APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet-3444365.pdf
Hersteller: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 13 A TO-247
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Technische Details APT13GP120BDQ1G Microchip Technology

Description: IGBT PT 1200V 41A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns, Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off), Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 250 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
APT13GP120BDQ1G Microchip / Microsemi APT13GP120BDQ1(G)_B-1593086.pdf IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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Hersteller: Microchip / Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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