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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G Microchip Technology


5767-apt15gp60bdq1g-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns
Switching Energy: 130µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A
Power - Max: 250 W
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Technische Details APT15GP60BDQ1G Microchip Technology

Description: IGBT PT 600V 56A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns, Switching Energy: 130µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 56 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A, Power - Max: 250 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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APT15GP60BDQ1G APT15GP60BDQ1G Hersteller : Microchip Technology 15gp60bdq1(g)_b.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT15GP60BDQ1G APT15GP60BDQ1G Hersteller : Microchip Technology 15gp60bdq1(g)_b.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT15GP60BDQ1G Hersteller : Microchip Technology APT15GP60BDQ1_B-1593017.pdf IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 15 A TO-247
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100+ 11.26 EUR
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APT15GP60BDQ1G APT15GP60BDQ1G
Produktcode: 72788
5767-apt15gp60bdq1g-datasheet Verschiedene Bauteile > Other components 3
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APT15GP60BDQ1G APT15GP60BDQ1G Hersteller : Microchip Technology 15gp60bdq1(g)_b.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT15GP60BDQ1G APT15GP60BDQ1G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 5767-apt15gp60bdq1g-datasheet Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3
Power dissipation: 250W
Gate charge: 55nC
Technology: POWER MOS 7®; PT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 65A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 20ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 27A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT15GP60BDQ1G Hersteller : MICROSEMI 5767-apt15gp60bdq1g-datasheet TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT15GP60BDQ1G APT15GP60BDQ1G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 5767-apt15gp60bdq1g-datasheet Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3
Power dissipation: 250W
Gate charge: 55nC
Technology: POWER MOS 7®; PT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 65A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 20ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 27A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
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