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Technische Details APT20M18B2VFRG Microsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9880 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT20M18B2VFRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APT20M18B2VFRG | MICROSEMI |
 TMAX 3/Trans MOSFET N-CH 200V 100A (3+Tab) APT20M18Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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APT20M18B2VFRG | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9880 pF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT20M18B2VFRG |
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Hersteller: MICROSEMI
TMAX 3/Trans MOSFET N-CH 200V 100A (3+Tab) APT20M18
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
TMAX 3/Trans MOSFET N-CH 200V 100A (3+Tab) APT20M18
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| APT20M18B2VFRG |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9880 pF @ 25 V
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