APT20M38BVRG

APT20M38BVRG Microchip Technology


5960-apt20m38bvr-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 67A TO247
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Technische Details APT20M38BVRG Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 67A, Pulsed drain current: 268A, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 38mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 225nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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APT20M38BVRG APT20M38BVRG Hersteller : Microchip / Microsemi APT20M38BVR_D-1593370.pdf MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247, RoHS
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APT20M38BVRG APT20M38BVRG Hersteller : Microchip Technology 20m38bvr.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT20M38BVRG APT20M38BVRG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 5960-apt20m38bvr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT20M38BVRG Hersteller : MICROSEMI 5960-apt20m38bvr-datasheet TO247-3/MOSFET N-CH 200V 67A APT20M38
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APT20M38BVRG APT20M38BVRG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 5960-apt20m38bvr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 370W
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On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
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