APT20M38BVRG Microchip Technology
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Technische Details APT20M38BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 67A, Pulsed drain current: 268A, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 38mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 225nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT20M38BVRG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT20M38BVRG | Hersteller : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247, RoHS |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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APT20M38BVRG | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT20M38BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 67A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M38BVRG | Hersteller : MICROSEMI |
TO247-3/MOSFET N-CH 200V 67A APT20M38 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M38BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 67A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced |
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