APT22F120B2 Microchip Technology
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Technische Details APT22F120B2 Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 90A; 1.04kW, Mounting: THT, Case: TO247MAX, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, On-state resistance: 0.7Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 260nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 90A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT22F120B2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APT22F120B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 90A; 1.04kW Mounting: THT Case: TO247MAX Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 260nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT22F120B2 | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX |
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| APT22F120B2 | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules FREDFET MOS8 1200 V 22 A TO-247 MAX |
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| APT22F120B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 90A; 1.04kW Mounting: THT Case: TO247MAX Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 260nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A |
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