APT23F60B Microchip Technology
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Technische Details APT23F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 14A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 415W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: THT, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT23F60B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT23F60B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 415W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT23F60B | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT23F60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT23F60B | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 |
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APT23F60B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS8 600 V 23 A TO-247 |
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APT23F60B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 415W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
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