APT23F60B Microchip Technology
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Technische Details APT23F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 14A, On-state resistance: 0.29Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 415W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 110nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 80A, Mounting: THT, Case: TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT23F60B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT23F60B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 415W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT23F60B | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT23F60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT23F60B | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 |
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APT23F60B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 23 A TO-247 |
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APT23F60B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 415W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-3 |
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