
APT24M80B Microchip Technology
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Technische Details APT24M80B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 85A; 625W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 16A, Pulsed drain current: 85A, Power dissipation: 625W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 150nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT24M80B
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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APT24M80B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 85A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT24M80B | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
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APT24M80B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 85A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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