APT25GP90BDQ1G Microchip Technology
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Technische Details APT25GP90BDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 72A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns, Switching Energy: 370µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A, Power - Max: 417 W.
Weitere Produktangebote APT25GP90BDQ1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT25GP90BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT25GP90BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT25GP90BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT25GP90BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 36A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 29ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 110A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT25GP90BDQ1G | Hersteller : MICROSEMI |
TO247-3/72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT APT25GP90 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT25GP90BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT PT 900V 72A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns Switching Energy: 370µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 417 W |
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APT25GP90BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 36A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 29ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 110A |
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