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APT25GP90BDQ1G Microchip Technology


APT25GP90BDQ1(G)_A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 417 W
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Technische Details APT25GP90BDQ1G Microchip Technology

Description: IGBT PT 900V 72A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns, Switching Energy: 370µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A, Power - Max: 417 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
APT25GP90BDQ1G Microchip Technology APT15GP90BDQ1(G)_A.pdf IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 25 A TO-247
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IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 25 A TO-247
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