
APT30GN60BDQ2G Microchip Technology
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Anzahl | Preis |
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Technische Details APT30GN60BDQ2G Microchip Technology
Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns, Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 203 W.
Weitere Produktangebote APT30GN60BDQ2G nach Preis ab 4.15 EUR bis 8.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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APT30GN60BDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
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APT30GN60BDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
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APT30GN60BDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
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APT30GN60BDQ2G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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APT30GN60BDQ2G | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT30GN60BDQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 203 W |
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