APT34M60B Microsemi Power Products Group
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT34M60B Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 23A, Pulsed drain current: 124A, Power dissipation: 624W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: THT, Gate charge: 165nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT34M60B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT34M60B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 124A Power dissipation: 624W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| APT34M60B | Hersteller : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
APT34M60B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 124A Power dissipation: 624W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |