APT37F50B Microchip Technology
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Technische Details APT37F50B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 24A, Case: TO247-3, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.15Ω, Pulsed drain current: 115A, Power dissipation: 520W, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 145nC, Gate-source voltage: ±30V, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT37F50B nach Preis ab 14.27 EUR bis 16.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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APT37F50B | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 |
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APT37F50B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3 Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Case: TO247-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 520W Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate charge: 145nC Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT37F50B | Hersteller : MICROSEMI |
TO-247AD/37 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT37F50 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT37F50B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3 Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Case: TO247-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 520W Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate charge: 145nC Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET |
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