APT38N60BC6 Microchip Technology
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Technische Details APT38N60BC6 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT38N60BC6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| APT38N60BC6 | MICROSEMI |
 TO-247/38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38N60Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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APT38N60BC6 | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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APT38N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Power dissipation: 278W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Pulsed drain current: 112A Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
APT38N60BC6 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT38N60BC6 |
|
Hersteller: MICROSEMI
TO-247/38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38N60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
TO-247/38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38N60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| APT38N60BC6 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 25 V
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| APT38N60BC6 |
|
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 112A
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 112A
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
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| APT38N60BC6 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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