Technische Details APT40GP90B2DQ2G Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi.
Weitere Produktangebote APT40GP90B2DQ2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT40GP90B2DQ2G | Microchip Technology |
Description: IGBT PT 900V 101A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT40GP90B2DQ2G | Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT40GP90B2DQ2G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 101A
Description: IGBT PT 900V 101A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT40GP90B2DQ2G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

