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APT40GP90B2DQ2G Microsemi


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Hersteller: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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Technische Details APT40GP90B2DQ2G Microsemi

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi.

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APT40GP90B2DQ2G APT40GP90B2DQ2G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 900V 101A
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APT40GP90B2DQ2G Microchip Technology APT15GP90BDQ1(G)_A.pdf IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX
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