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APT40GP90B2DQ2G

APT40GP90B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY


6270-apt40gp90b2dq2g-datasheet Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 543W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT40GP90B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 900V, Collector current: 50A, Power dissipation: 543W, Case: T-Max, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 160A, Mounting: THT, Gate charge: 145nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: POWER MOS 7®; PT, Turn-on time: 37ns, Turn-off time: 0.22µs, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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APT40GP90B2DQ2G APT40GP90B2DQ2G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 6270-apt40gp90b2dq2g-datasheet Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 543W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 0.22µs
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APT40GP90B2DQ2G Hersteller : Microsemi APT40GP90B2DQ2_A-601278.pdf IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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APT40GP90B2DQ2G APT40GP90B2DQ2G Hersteller : Microchip Technology 6270-apt40gp90b2dq2g-datasheet Description: IGBT 900V 101A 543W TMAX
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