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APT45GP120JDQ2 Microchip Technology


6280-apt45gp120jdq2-datasheet
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Power - Max: 329 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
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Technische Details APT45GP120JDQ2 Microchip Technology

Description: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA, Power - Max: 329 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Part Status: Active, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: ISOTOP®, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: ISOTOP, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
APT45GP120JDQ2 APT45GP120JDQ2 Microchip Technology APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet-3444365.pdf IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A SOT-227
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APT45GP120JDQ2 APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet-3444365.pdf
Hersteller: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A SOT-227
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