APT4M120K Microchip Technology
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Technische Details APT4M120K Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 225W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220 [K], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT4M120K nach Preis ab 7.52 EUR bis 7.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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APT4M120K | Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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APT4M120K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Mounting: THT Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 225W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 8® Drain current: 3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 3.8Ω |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| APT4M120K |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT4M120K |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 24+ | 7.52 EUR |
| APT4M120K |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 225W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 8®
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.8Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 225W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 8®
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.8Ω
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