
APT50GT120B2RG Microchip Technology
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Technische Details APT50GT120B2RG Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 94A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns, Switching Energy: 2330µJ (off), Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 340 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 94 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 625 W.
Weitere Produktangebote APT50GT120B2RG nach Preis ab 15.97 EUR bis 26.68 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT50GT120B2RG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns Switching Energy: 2330µJ (off) Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 94 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 625 W |
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APT50GT120B2RG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 50A; 625W; T-Max Type of transistor: IGBT Technology: NPT Power dissipation: 625W Case: T-Max Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 77ns Turn-off time: 303ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT50GT120B2RG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT50GT120B2RG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 50A; 625W; T-Max Type of transistor: IGBT Technology: NPT Power dissipation: 625W Case: T-Max Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 77ns Turn-off time: 303ns |
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