
APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 280nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 210A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, Power dissipation: 1.04kW, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: THT, Gate charge: 280nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 210A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT56F60L | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
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APT56F60L | Hersteller : Microchip Technology |
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APT56F60L | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 280nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 210A |
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