APT56F60L

APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY


7150-apt56f60b2-l-c-pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 280nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 210A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 280nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 210A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote APT56F60L

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APT56F60L APT56F60L Hersteller : Microsemi Power Products Group 7150-apt56f60b2-l-c-pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F60L APT56F60L Hersteller : Microchip Technology APT6013B2_LFLL_B-3500250.pdf MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT56F60L APT56F60L Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 7150-apt56f60b2-l-c-pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 280nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 210A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH