
APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 280nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 210A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 280nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 210A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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APT56F60L | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
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APT56F60L | Hersteller : Microchip Technology |
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APT56F60L | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 280nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 210A Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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