APT56F60L

APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY


7150-apt56f60b2-l-c-pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 280nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 210A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, Power dissipation: 1.04kW, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: THT, Gate charge: 280nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 210A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APT56F60L APT56F60L Hersteller : Microsemi Power Products Group 7150-apt56f60b2-l-c-pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
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APT56F60L APT56F60L Hersteller : Microchip Technology APT6013B2_LFLL_B-3500250.pdf MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-264
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APT56F60L APT56F60L Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 7150-apt56f60b2-l-c-pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 280nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 210A
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