APT56F60L Microsemi Power Products Group
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Technische Details APT56F60L Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate charge: 280nC, On-state resistance: 0.11Ω, Power dissipation: 1.04kW, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 38A, Pulsed drain current: 210A, Drain-source voltage: 600V, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote APT56F60L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT56F60L | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-264 |
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APT56F60L | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 280nC On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 1.04kW Gate-source voltage: ±30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 210A Drain-source voltage: 600V Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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