APT56M60B2 Microchip / Microsemi
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Technische Details APT56M60B2 Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 1040W; TO247, Case: TO247, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 60A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.04kW, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 280nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT56M60B2 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT56M60B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 1040W; TO247 Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 280nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT56M60B2 | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX |
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APT56M60B2 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX |
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APT56M60B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 1040W; TO247 Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 280nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
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