APT6029BLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT6029BLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 65nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 84A, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21A, On-state resistance: 0.29Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT6029BLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT6029BLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT6029BLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT6029BLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 65nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar |
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