
APT6029SLLG MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; D3PAK
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 0.29Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: D3PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT6029SLLG MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; D3PAK, Kind of package: tube, Technology: POWER MOS 7®, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 65nC, On-state resistance: 0.29Ω, Drain current: 21A, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 600V, Pulsed drain current: 84A, Power dissipation: 300W, Case: D3PAK, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT6029SLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT6029SLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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APT6029SLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; D3PAK Kind of package: tube Technology: POWER MOS 7® Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC On-state resistance: 0.29Ω Drain current: 21A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: D3PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
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