APT64GA90LD30 Microsemi Power Products Group
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Technische Details APT64GA90LD30 Microsemi Power Products Group
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: POWER MOS 8®; PT, Gate charge: 162nC, Turn-on time: 44ns, Turn-off time: 352ns, Collector current: 64A, Power dissipation: 500W, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 900V, Pulsed collector current: 193A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT64GA90LD30 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT64GA90LD30 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 8®; PT Gate charge: 162nC Turn-on time: 44ns Turn-off time: 352ns Collector current: 64A Power dissipation: 500W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 193A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT64GA90LD30 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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APT64GA90LD30 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT64GA90LD30 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 8®; PT Gate charge: 162nC Turn-on time: 44ns Turn-off time: 352ns Collector current: 64A Power dissipation: 500W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 193A |
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