APT64GA90LD30

APT64GA90LD30 Microsemi Power Products Group


123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf Hersteller: Microsemi Power Products Group
Description: IGBT 900V 117A 500W TO-264
auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details APT64GA90LD30 Microsemi Power Products Group

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: POWER MOS 8®; PT, Gate charge: 162nC, Turn-on time: 44ns, Turn-off time: 352ns, Collector current: 64A, Power dissipation: 500W, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 900V, Pulsed collector current: 193A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote APT64GA90LD30

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APT64GA90LD30 APT64GA90LD30 Hersteller : Microchip Technology apt64ga90b2_ld30_e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT64GA90LD30 APT64GA90LD30 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate charge: 162nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Collector current: 64A
Power dissipation: 500W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 900V
Pulsed collector current: 193A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT64GA90LD30 APT64GA90LD30 Hersteller : Microchip / Microsemi 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT64GA90LD30 APT64GA90LD30 Hersteller : Microchip Technology 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT64GA90LD30 APT64GA90LD30 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate charge: 162nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Collector current: 64A
Power dissipation: 500W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 900V
Pulsed collector current: 193A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH