APT70GR120J Microsemi
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Technische Details APT70GR120J Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 70A, Pulsed collector current: 280A, Kind of package: tube, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SOT227B, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT70GR120J
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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APT70GR120J | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT70GR120J | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT70GR120J | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227 |
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| APT70GR120J | Hersteller : Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227 |
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| APT70GR120J | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B |
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