Technische Details APT70GR120J Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 280A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Kind of package: tube, Semiconductor structure: single transistor, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 70A.
Weitere Produktangebote APT70GR120J
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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APT70GR120J | Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT70GR120J | Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| APT70GR120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 280A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A |
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| APT70GR120J |
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Hersteller: Microsemi Power Products Group
Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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| APT70GR120J |
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Hersteller: Microchip Technology
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
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| APT70GR120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
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