APT8056BVRG Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.27 EUR |
| 10+ | 26.75 EUR |
| 25+ | 26.41 EUR |
| 50+ | 26.1 EUR |
| 100+ | 24.48 EUR |
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Technische Details APT8056BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT8056BVRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| APT8056BVRG | MICROSEMI |
 TO247/POWER MOSFET - MOS5 APT8056Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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APT8056BVRG | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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APT8056BVRG | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT8056BVRG |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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| APT8056BVRG |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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