APT95GR65B2 Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 650V 208A TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/226ns
Switching Energy: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
Test Condition: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 208 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 892 W
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details APT95GR65B2 Microchip Technology
Description: IGBT NPT 650V 208A TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/226ns, Switching Energy: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off), Test Condition: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 208 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 892 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT95GR65B2 | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT MOS 8 650 V 95 A TO-247 MAX |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| APT95GR65B2 | Hersteller : Microsemi |
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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APT95GR65B2 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 208A 892000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
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| APT95GR65B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT95GR65B2 THT IGBT transistors |
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