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APTC60HM45SCTG Microchip Technology


9607349-aptc60hm45sctg-rev3-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 49A 14-Pin Case SP-4 Tube
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Technische Details APTC60HM45SCTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 130A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, On-state resistance: 45mΩ, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Power dissipation: 250W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APTC60HM45SCTG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7349 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 130A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTC60HM45SCTG Hersteller : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7349 Description: MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
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APTC60HM45SCTG APTC60HM45SCTG Hersteller : Microchip Technology mppgs02420_1-2275330.pdf Discrete Semiconductor Modules DOR CC4133
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APTC60HM45SCTG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7349 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 130A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Power dissipation: 250W
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