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APTGT400A120D3G MICROSEMI

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROSEMI
D3POWER MODULE - IGBT
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Technische Details APTGT400A120D3G MICROSEMI

Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 29 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA, Power - Max: 2100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 580 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: D3, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: D-3 Module, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
APTGT400A120D3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 29 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Power - Max: 2100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D3
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-3 Module
Packaging: Bulk
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APTGT400A120D3G Microchip Technology APTGT400A120D3G-Rev1.pdf IGBT Modules PM-IGBT-TFS-D3
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Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 29 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Power - Max: 2100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D3
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
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Mounting Type: Chassis Mount
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