APTGT50H120T3G MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMI
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module APTGT50
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Technische Details APTGT50H120T3G MICROSEMI
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Full Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP3, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 270 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP3, NTC Thermistor: Yes.
Weitere Produktangebote APTGT50H120T3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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APTGT50H120T3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Full Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 270 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP3 NTC Thermistor: Yes |
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APTGT50H120T3G | Microchip Technology |
 IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3 |
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| APTGT50H120T3G | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
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| APTGT50H120T3G |
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 270 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP3
NTC Thermistor: Yes
Description: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 270 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP3
NTC Thermistor: Yes
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Hersteller: Microchip Technology
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3
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| APTGT50H120T3G |
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Hersteller: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
IGBT Modules Power Module - IGBT
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