APTM100A13SCG Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA
Supplier Device Package: SP6
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details APTM100A13SCG Microchip Technology
Category: Transistor modules, Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 49A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 156mΩ, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 1.25kW, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes.
Weitere Produktangebote APTM100A13SCG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100A13SCG | MICROSEMI |
SP6/POWER MODULE - SIC APTM100A13S Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| APTM100A13SCG | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| APTM100A13SCG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 49A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 156mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 1.25kW Technology: POWER MOS 7®; SiC Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| APTM100A13SCG | Microsemi |
Trans MOSFET N-CH 1KV 65A 7-Pin Case SP-6 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APTM100A13SCG |
|
Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SBD-SP6C
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| APTM100A13SCG |
|
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
Category: Transistor modules
Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
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| APTM100A13SCG |
|
Hersteller: Microsemi
Trans MOSFET N-CH 1KV 65A 7-Pin Case SP-6 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 65A 7-Pin Case SP-6 Tube
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