APTM100UM65SAG Microchip Technology
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Technische Details APTM100UM65SAG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA, Supplier Device Package: SP6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APTM100UM65SAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100UM65SAG | Microsemi |
 MOSFET N-Channel, 145A, 1000V, 65mOhm, -40...+150 Силові MOSFET-модулі |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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APTM100UM65SAG | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Supplier Device Package: SP6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V |
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| APTM100UM65SAG | Microsemi |
Trans MOSFET N-CH 1KV 145A 4-Pin Case SP-6 Tube |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APTM100UM65SAG |
|
Hersteller: Microsemi
MOSFET N-Channel, 145A, 1000V, 65mOhm, -40...+150 Силові MOSFET-модулі
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| APTM100UM65SAG |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA
Supplier Device Package: SP6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA
Supplier Device Package: SP6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28500 pF @ 25 V
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| APTM100UM65SAG |
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Hersteller: Microsemi
Trans MOSFET N-CH 1KV 145A 4-Pin Case SP-6 Tube
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