APTM20DAM04G Microchip Technology
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Technische Details APTM20DAM04G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 1.25kW, Drain current: 278A, Drain-source voltage: 200V, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of module: MOSFET transistor, Case: SP6C, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 1488A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM20DAM04G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTM20DAM04G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; diode/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 1.25kW Drain current: 278A Drain-source voltage: 200V Semiconductor structure: diode/transistor Type of module: MOSFET transistor Case: SP6C Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 1488A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTM20DAM04G | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 200V 372A SP6 |
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| APTM20DAM04G | Hersteller : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
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| APTM20DAM04G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 1.25kW Drain current: 278A Drain-source voltage: 200V Semiconductor structure: diode/transistor Type of module: MOSFET transistor Case: SP6C Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 1488A |
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