APTM20HM08FG Microchip Technology


11628132-aptm20hm08fg-rev2-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 208A 12-Pin Case SP-6 Tube
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Technische Details APTM20HM08FG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W, Drain current: 155A, On-state resistance: 10mΩ, Power dissipation: 781W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: H-bridge, Pulsed drain current: 832A, Case: SP6C, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 200V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APTM20HM08FG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W
Drain current: 155A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 781W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge
Pulsed drain current: 832A
Case: SP6C
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM20HM08FG Hersteller : MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf SP6/208 A, 200 V, 0.01 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM20HM08
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APTM20HM08FG Hersteller : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 781W
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 208A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: SP6
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APTM20HM08FG Hersteller : Microchip Technology APTM20HM08FG_Rev3-3444795.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
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APTM20HM08FG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W
Drain current: 155A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 781W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge
Pulsed drain current: 832A
Case: SP6C
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 200V
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