APTM50DHM38G MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 67A; SP6C; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 694W
Technology: POWER MOS 7®
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 500V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-source voltage: ±30V
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP6C
On-state resistance: 45mΩ
Topology: asymmetrical bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APTM50DHM38G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 500V; 67A; SP6C; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V, Pulsed drain current: 360A, Power dissipation: 694W, Technology: POWER MOS 7®, Drain current: 67A, Drain-source voltage: 500V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP6C, On-state resistance: 45mΩ, Topology: asymmetrical bridge, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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Description: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 |
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| APTM50DHM38G | Hersteller : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
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| APTM50DHM38G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 500V; 67A; SP6C; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 694W Technology: POWER MOS 7® Drain current: 67A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C On-state resistance: 45mΩ Topology: asymmetrical bridge |
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