APTM50H15FT1G Microchip Technology
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Technische Details APTM50H15FT1G Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 208W, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5448pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: SP1.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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APTM50H15FT1G | Microchip / Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules DOR CC8031 |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APTM50H15FT1G |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules DOR CC8031
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