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AS4C32M16MD1A-5BCN

AS4C32M16MD1A-5BCN Alliance Memory

512Mb_LPDDR_1.8V_rev1.2 July 2016_AS4C32M16MD1A-5-1265346.pdf Hersteller: Alliance Memory
DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
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Technische Details AS4C32M16MD1A-5BCN Alliance Memory

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FPBGA60, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR1; SDRAM, Memory organisation: 16Mx16bit, Clock frequency: 200MHz, Access time: 6.5ns, Case: FPBGA60, Memory capacity: 512Mb, Mounting: SMD, Operating temperature: -30...85°C, Kind of interface: parallel, Operating voltage: 1.7...1.95V.

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AS4C32M16MD1A-5BCN AS4C32M16MD1A-5BCN Hersteller : Alliance Memory, Inc. 512Mb_LPDDR_1.8V_rev1.2%20%20July%202016_AS4C32M16MD1A-5BCN.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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AS4C32M16MD1A-5BCN Hersteller : ALLIANCE MEMORY 512Mb_LPDDR_1.8V_rev1.2%20%20July%202016_AS4C32M16MD1A-5BCN.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FPBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 6.5ns
Case: FPBGA60
Memory capacity: 512Mb
Mounting: SMD
Operating temperature: -30...85°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 1.7...1.95V
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AS4C32M16MD1A-5BCN Hersteller : ALLIANCE MEMORY 512Mb_LPDDR_1.8V_rev1.2%20%20July%202016_AS4C32M16MD1A-5BCN.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16Mx16bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FPBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 200MHz
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