| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.65 EUR |
| 10+ | 10.64 EUR |
| 25+ | 10.34 EUR |
| 100+ | 10.09 EUR |
| 190+ | 8.57 EUR |
| 570+ | 8.16 EUR |
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Technische Details AS4C4M32S-6BIN Alliance Memory
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C4M32S-6BIN - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 4M x 32 Bit, 166 MHz, TFBGA, 90 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 128Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Anzahl der Pins: 90Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 4M x 32 Bit.
Weitere Produktangebote AS4C4M32S-6BIN nach Preis ab 17.48 EUR bis 21.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AS4C4M32S-6BIN | Alliance Memory, Inc. |
 Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGAMemory Organization: 4M x 32 Access Time: 5.4 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 2ns Part Status: Active Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 128Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AS4C4M32S-6BIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C4M32S-6BIN - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 4M x 32 Bit, 166 MHz, TFBGA, 90 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 128Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 90Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4M x 32 Bit |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AS4C4M32S-6BIN | Alliance Memory |
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Об'єм RAM = 128 Кбайт, Орг. пам. = 4М х 32, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-90 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 190 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AS4C4M32S-6BIN |
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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Memory Organization: 4M x 32
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 2ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Memory Organization: 4M x 32
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 2ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.72 EUR |
| 10+ | 20.18 EUR |
| 25+ | 19.56 EUR |
| 50+ | 19.09 EUR |
| 190+ | 18.2 EUR |
| 380+ | 17.74 EUR |
| 570+ | 17.48 EUR |
| AS4C4M32S-6BIN |
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Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C4M32S-6BIN - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 4M x 32 Bit, 166 MHz, TFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 32 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C4M32S-6BIN - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 4M x 32 Bit, 166 MHz, TFBGA, 90 Pin(s)
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DRAM-Ausführung: SDRAM
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 128Mbit
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 32 Bit
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AS4C4M32S-6BIN |
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Hersteller: Alliance Memory
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Об'єм RAM = 128 Кбайт, Орг. пам. = 4М х 32, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-90 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 190 Stücke
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3.6, Об'єм RAM = 128 Кбайт, Орг. пам. = 4М х 32, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-90 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 190 Stücke
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