Produkte > ALLIANCE MEMORY > AS4C512M16MD4V-053BIN
AS4C512M16MD4V-053BIN

AS4C512M16MD4V-053BIN ALLIANCE MEMORY

4068282.pdf Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M16MD4V-053BIN - DRAM, Mobile LPDDR4X, 8 GB, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8GB
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details AS4C512M16MD4V-053BIN ALLIANCE MEMORY

Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M16MD4V-053BIN - DRAM, Mobile LPDDR4X, 8 GB, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4X, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 8GB, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote AS4C512M16MD4V-053BIN nach Preis ab 17.90 EUR bis 17.90 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
AS4C512M16MD4V-053BIN Hersteller : Alliance Memory, Inc. AllianceMemory_8Gb_16Gb_LPDDR4X_AS4C512M16MD4V_AS4C512M32MD4V_Datasheet.pdf AS4C512M16MD4V-053BIN
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+17.90 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C512M16MD4V-053BIN Hersteller : ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_8Gb_16Gb_LPDDR4X_AS4C512M16MD4V_AS4C512M32MD4V_Datasheet.pdf 4C512M16MD4V053BIN DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C512M16MD4V-053BIN AS4C512M16MD4V-053BIN Hersteller : Alliance Memory, Inc. AllianceMemory_8Gb_16Gb_LPDDR4X_AS4C512M16MD4V_AS4C512M32MD4V_Datasheet.pdf Description: IC DRAM 8GBIT LVSTLE 200FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-FBGA (10x15)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTLE_06
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C512M16MD4V-053BIN Hersteller : Alliance Memory AllianceMemory_8Gb_16Gb_LPDDR4X_AS4C512M16MD4V_AS4-3246971.pdf DRAM LPDDR4X, 8Gb, 512M x 16, 0.6V, 200-ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH