AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Hersteller: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Technische Details AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 1Mb SRAM, Memory organisation: 64kx16bit, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC, Operating voltage: 2.7...5.5V, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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AS6C1016-55BINTR | Hersteller : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 64K X 16 48-TFBGA |
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AS6C1016-55BINTR | Hersteller : Alliance Memory |
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 16 |
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| AS6C1016-55BINTR | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5.5V |
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