AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc.
Hersteller: Alliance Memory, Inc.Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 12.06 EUR |
| 10+ | 11.21 EUR |
| 25+ | 10.87 EUR |
| 50+ | 10.61 EUR |
| 135+ | 10.25 EUR |
| 270+ | 9.99 EUR |
| 540+ | 9.74 EUR |
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Technische Details AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc.
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C8016-55ZIN - SRAM, 8MBIT, -40 BIS 85°C, TSOP-II, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote AS6C8016-55ZIN nach Preis ab 7.76 EUR bis 19.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory |
SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 - 5.5V, 44pin TSOP II, 55ns, Industrial Temp - Tray |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C8016-55ZIN - SRAM, 8MBIT, -40 BIS 85°C, TSOP-II tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory, Inc. |
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II Tray |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
AS6C8016-55ZIN Parallel SRAM memories - integ. circ. |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE |
16-bit Memory IC; 512Kb-SRAM; 2,7~5,5V; -40?85°C; Substitute: M5M5W816TP-55HI; CY62157EV30LL-55ZSXI; IS65C51216AL-55CTLA3; BH616UV8010TIG55; AS6C8016A-55ZINTR; AS6C8016A-55ZIN; AS6C8016-55ZIN PS8192/16/055 tso Anzahl je Verpackung: 15 Stücke |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE |
16-bit Memory IC; 512Kb-SRAM; 2,7~5,5V; -40?85°C; Substitute: M5M5W816TP-55HI; CY62157EV30LL-55ZSXI; IS65C51216AL-55CTLA3; BH616UV8010TIG55; AS6C8016A-55ZINTR; AS6C8016A-55ZIN; AS6C8016-55ZIN PS8192/16/055 tso Anzahl je Verpackung: 15 Stücke |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AS6C8016-55ZIN Produktcode: 32914
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