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AS6C8016-55ZIN

AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc.

AS6C8016.pdf Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.44 EUR
10+10.64 EUR
25+10.32 EUR
50+10.07 EUR
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Technische Details AS6C8016-55ZIN Alliance Memory, Inc.

Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C8016-55ZIN - SRAM, 8MBIT, -40 BIS 85°C, TSOP-II, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AS6C8016-55ZIN AS6C8016-55ZIN Hersteller : Alliance Memory AS6C8016-1775761.pdf SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 - 5.5V, 44pin TSOP II, 55ns, Industrial Temp - Tray
auf Bestellung 280 Stücke:
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10+11.6 EUR
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AS6C8016-55ZIN AS6C8016-55ZIN Hersteller : ALLIANCE MEMORY 3999925.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C8016-55ZIN - SRAM, 8MBIT, -40 BIS 85°C, TSOP-II
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AS6C8016-55ZIN Hersteller : Alliance Memory, Inc. AS6C8016.pdf SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II Tray
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Anzahl Preis
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AS6C8016-55ZIN Hersteller : ALLIANCE AS6C8016.pdf 16-bit Memory IC; 512Kb-SRAM; 2,7~5,5V; -40?85°C; Substitute: M5M5W816TP-55HI; CY62157EV30LL-55ZSXI; IS65C51216AL-55CTLA3; BH616UV8010TIG55; AS6C8016A-55ZINTR; AS6C8016A-55ZIN; AS6C8016-55ZIN PS8192/16/055 tso
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Produktcode: 32914
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AS6C8016-55ZIN AS6C8016-55ZIN Hersteller : ALLIANCE MEMORY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D0138AC99026F1A704005056AB0C4F&compId=AS6C8016.pdf?ci_sign=60ad01c62f24a643b3e6c8e4d6f3985b769d7d50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBCD3BDE311A0E0DC&compId=Alliance_Selection_Guide%20_Print2025.pdf?ci_sign=34f5d2d34cac1150f1f21237b486cf42d4e4f4fb Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AS6C8016-55ZIN AS6C8016-55ZIN Hersteller : ALLIANCE MEMORY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D0138AC99026F1A704005056AB0C4F&compId=AS6C8016.pdf?ci_sign=60ad01c62f24a643b3e6c8e4d6f3985b769d7d50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBCD3BDE311A0E0DC&compId=Alliance_Selection_Guide%20_Print2025.pdf?ci_sign=34f5d2d34cac1150f1f21237b486cf42d4e4f4fb Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.7...5V
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
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