
AS6C8016-55ZIN ALLIANCE MEMORY


Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 400mils
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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8+ | 9.58 EUR |
10+ | 7.18 EUR |
11+ | 6.79 EUR |
100+ | 6.54 EUR |
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Technische Details AS6C8016-55ZIN ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C8016-55ZIN - SRAM, Asynchron, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote AS6C8016-55ZIN nach Preis ab 6.54 EUR bis 12.60 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
![]() ![]() Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 55ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 400mils Integrated circuit features: LPC Operating voltage: 2.7...5V Operating temperature: -40...85°C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory, Inc. |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory |
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auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AS6C8016-55ZIN | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
![]() tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AS6C8016-55ZIN | Hersteller : Alliance Memory, Inc. |
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auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AS6C8016-55ZIN Produktcode: 32914
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