AS6C8016A-55BINTR Alliance Memory, Inc.
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Technische Details AS6C8016A-55BINTR Alliance Memory, Inc.
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 3.3V; 55ns; TFBGA48; parallel, Case: TFBGA48, Integrated circuit features: LPC, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Access time: 55ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Kind of memory: asynchronous; SRAM.
Weitere Produktangebote AS6C8016A-55BINTR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AS6C8016A-55BINTR | Hersteller : Alliance Memory |
SRAM 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM |
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| AS6C8016A-55BINTR | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 3.3V; 55ns; TFBGA48; parallel Case: TFBGA48 Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Access time: 55ns Operating voltage: 3.3V Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Kind of memory: asynchronous; SRAM |
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