AS6C8016B-55BINTR Alliance Memory, Inc.
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Technische Details AS6C8016B-55BINTR Alliance Memory, Inc.
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48, Operating temperature: -40...85°C, Case: TFBGA48, Integrated circuit features: LPC, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Access time: 55ns, Operating voltage: 2.7...3.6V, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Kind of memory: asynchronous; SRAM.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| AS6C8016B-55BINTR | Hersteller : Alliance Memory |
SRAM |
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| AS6C8016B-55BINTR | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA48 Integrated circuit features: LPC Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Access time: 55ns Operating voltage: 2.7...3.6V Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Kind of memory: asynchronous; SRAM |
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