AUIRF1324WL Infineon Technologies
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Technische Details AUIRF1324WL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 0.00116 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 24, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-262, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00116, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote AUIRF1324WL nach Preis ab 11.17 EUR bis 17.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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AUIRF1324WL | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Wide Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Wide Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 19 V |
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AUIRF1324WL | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF1324WL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 240 A, 0.00116 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 24 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00116 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00116 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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AUIRF1324WL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 382A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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AUIRF1324WL | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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AUIRF1324WL | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced |
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