AUIRF7103QTR Infineon Technologies
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Technische Details AUIRF7103QTR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung Pd: 2.4, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote AUIRF7103QTR nach Preis ab 1.24 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung Pd: 2.4 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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AUIRF7103QTR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced |
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