AUIRF7341QTR Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 3.4 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 250+ | 2.82 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
| 4000+ | 2.04 EUR |
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Technische Details AUIRF7341QTR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote AUIRF7341QTR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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AUIRF7341QTR | INFINEON |
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auf Bestellung 37907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AUIRF7341QTR | INFINEON |
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auf Bestellung 38007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AUIRF7341QTR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AUIRF7341QTR |
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Hersteller: INFINEON
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Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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auf Bestellung 37907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AUIRF7341QTR |
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Hersteller: INFINEON
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AUIRF7341QTR |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
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auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



