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AUIRF7341QTR

AUIRF7341QTR INFINEON

2255439.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+2.34 EUR
12000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Technische Details AUIRF7341QTR INFINEON

Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR Infineon Technologies 3677781634719755auirf7341q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.62 EUR
50+3.43 EUR
100+3.24 EUR
250+3.07 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.83 EUR
2500+2.7 EUR
5000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR Infineon Technologies 3677781634719755auirf7341q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3980 Stücke:
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48+3.7 EUR
58+2.96 EUR
100+2.7 EUR
200+2.62 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.13 EUR
2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.2 EUR
250+3.13 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR Infineon Technologies auirf7341q-1730924.pdf MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+4.05 EUR
100+3.67 EUR
250+3.36 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.92 EUR
4000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
56+4.2 EUR
250+3.13 EUR
1000+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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AUIRF7341QTR ROCHESTER ELECTRONICS auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7341QTR - AUIRF7341 - 20V-800V AUTOMOTIVE MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+3.25 EUR
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AUIRF7341QTR
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
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50+3.43 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
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AnzahlPrivatkunde
48+3.7 EUR
58+2.96 EUR
100+2.7 EUR
200+2.62 EUR
500+2.3 EUR
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2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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AUIRF7341QTR 2255439.pdf
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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10+4.05 EUR
100+3.67 EUR
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500+3.03 EUR
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AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 37807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.79 EUR
56+4.2 EUR
250+3.13 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad364513dc
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF7341QTR - AUIRF7341 - 20V-800V AUTOMOTIVE MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
237+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH