AUIRF7341QTR Infineon Technologies


auirf7341q-1730924.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
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Technische Details AUIRF7341QTR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
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Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: INFINEON
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
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auf Bestellung 38007 Stücke:
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Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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