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AUIRF7343QTR

AUIRF7343QTR INFINEON

INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
500+2.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details AUIRF7343QTR INFINEON

Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR Infineon Technologies auirf7343q-1730807.pdf MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms
auf Bestellung 1553 Stücke:
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AUIRF7343QTR Infineon Technologies auirf7343q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad45c613e0 Trans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2359 Stücke:
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63+2.67 EUR
74+2.19 EUR
100+2.01 EUR
250+1.54 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.29 EUR
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AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
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