AUIRF7647S2TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.38 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.79 EUR |
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Technische Details AUIRF7647S2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: DirectFET SC, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AUIRF7647S2TR nach Preis ab 1.64 EUR bis 3.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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AUIRF7647S2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET |
auf Bestellung 4984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7647S2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: DirectFET SC Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7647S2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.026 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: DirectFET SC Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7647S2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.9A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7647S2TR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 41W Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF7647S2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF7647S2TR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 41W Technology: HEXFET® |
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