AUIRF7759L2TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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Technische Details AUIRF7759L2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote AUIRF7759L2TR nach Preis ab 7.71 EUR bis 24.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7759L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies |
MOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2 |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7759L2TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7759L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7759L2TR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 7.71 EUR |
| AUIRF7759L2TR |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 11.72 EUR |
| 250+ | 11.48 EUR |
| AUIRF7759L2TR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.89 EUR |
| 10+ | 12.33 EUR |
| 100+ | 10.12 EUR |
| AUIRF7759L2TR |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2
MOSFETs Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.5 EUR |
| 10+ | 13.45 EUR |
| 100+ | 10.33 EUR |
| 1000+ | 9.64 EUR |
| AUIRF7759L2TR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 24.62 EUR |
| 10+ | 21.86 EUR |
| 50+ | 19.16 EUR |
| 100+ | 17.09 EUR |
| 200+ | 16.24 EUR |
| 500+ | 14.7 EUR |
| AUIRF7759L2TR |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.89 EUR |
| 12+ | 19.54 EUR |
| 15+ | 14.72 EUR |
| 50+ | 13.22 EUR |
| 100+ | 11.72 EUR |
| 250+ | 11.48 EUR |